STL16N1VH5
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STL16N1VH5参数：MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：STripFET™ V
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：500mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2085pF @ 12V
功率 - 最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat?（3.3x3.3）