STL120N2VH5
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STL120N2VH5参数：MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STL120N2VH5ViewAllSpecifications
标准包装：3,000
系列：STripFET™V
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3毫欧@14A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：29nC@2.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4660pF@15V
功率-最大值：80W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）