STL10N3LLH5
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STL10N3LLH5参数：MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STL10N3LLH5ViewAllSpecifications
标准包装：3,000
系列：STripFET™V
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：19毫欧@4.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat?（3.3x3.3）