STI300N4F6
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STI300N4F6参数：MOSFET N CH 40V 160A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
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标准包装：50
系列：STripFET™VI,DeepGATE™
包装：*
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：160A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.2毫欧@80A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：240nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：13800pF@25V
功率-最大值：300W
安装类型：*
封装：*
供应商器件封装：*