SPN02N60C3
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SPN02N60C3参数：MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation18/Dec/2009
标准包装：1,000
系列：CoolMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：400mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.5欧姆@1.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@80µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：200pF@25V
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：PG-SOT223-4