SPD09P06PL
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SPD09P06PL参数：MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
标准包装：2,500
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：250毫欧@6.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：450pF@25V
功率-最大值：42W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3