SMMA511DJ-T1-GE3
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SMMA511DJ-T1-GE3参数：MOSFET N/P-CH 12V PPAK SC70-6L

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 6V
功率 - 最大值：6.5W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SC-70-6 双
供应商器件封装：PowerPAK? SC-70-6 双