SGR2N60UFDTM
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SGR2N60UFDTM参数：IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.6V @ 15V，1.2A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2.4A
Current - Collector Pulsed (Icm)：10A
功率 - 最大值：25W
Switching Energy：43µJ
输入类型：标准
Gate Charge：9nC
Td (on/off) A 25°C：15ns/80ns
Test Condition：300V, 1.2A, 200 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D-Pak