SGP5N60RUFDTU
PDF资料下载

SGP5N60RUFDTU参数：IGBT W/DIODE 600V 5A

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，5A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8A
Current - Collector Pulsed (Icm)：15A
功率 - 最大值：60W
Switching Energy：195µJ
输入类型：标准
Gate Charge：16nC
Td (on/off) A 25°C：13ns/34ns
Test Condition：300V, 5A, 40 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：37ns
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220