RSR025N03TL
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RSR025N03TL参数：MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： MOSFETs
产品目录绘图： RxR0SeriesTSMT-3
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4V驱动
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：70毫欧@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.1nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：165pF@10V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：TSMT3