RSQ015P10TR
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RSQ015P10TR参数：MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：470 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：950pF @ 25V
功率 - 最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：TSMT6