RSJ650N10TL
PDF资料下载

RSJ650N10TL参数：MOSFET N-CH 100V 65A LPTS

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：65A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9.1 毫欧 @ 32.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10780pF @ 25V
功率 - 最大值：100W
安装类型：表面贴装
封装：SC-83
供应商器件封装：LPTS