RSF010P03TL参数：MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训�？椋� MOSFETs产品目录绘图： TUMT-3PackageTop特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：350毫欧@1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.9nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：120pF@10V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：3-SMD，扁平引线供应商器件封装：TUMT3
