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RQ1A060ZPTR参数：MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2800pF @ 6V功率 - 最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：TSMT8供应商器件封装：TSMT8
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