RFD16N05LSM9A
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RFD16N05LSM9A参数：MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：47毫欧@16A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：60W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252AA