RFD12N06RLESM9A
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RFD12N06RLESM9A参数：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：UltraFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：63毫欧@18A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：485pF@25V
功率-最大值：49W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3