QS8J1TR
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QS8J1TR参数：MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： MOSFETTSMT-8
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：29毫欧@4.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2450pF@6V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：TSMT8
供应商器件封装：TSMT8