NVMFS5844NLT1G
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NVMFS5844NLT1G参数：MOSFET N-CH 60V 11.2S SO-8FL

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：650
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1460pF @ 25V
功率 - 最大值：3.7W
安装类型：表面贴装
封装：8-TDFN 裸焊盘（5 根引线）
供应商器件封装：5-DFN（5x6）