NVF2955PT1G
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NVF2955PT1G参数：MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jan/2013
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：185毫欧@2.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14.3nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：492pF@25V
功率-最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223