NSS40200UW6T1G
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NSS40200UW6T1G参数：TRANSISTOR PNP 4A 40V 6-WDFN

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路
产品培训模块： LowVce(sat)BJTPowerSavings
产品变化通告： WireBondChange07/Sept/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：PNP
电流-集电极(Ic)（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@20mA，2A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：150@1A，2V
功率-最大值：875mW
频率-跃迁：140MHz
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN裸露焊盘
供应商器件封装：6-WDFN（2x2）