NSBC114EPDP6T5G
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NSBC114EPDP6T5G参数：TRANS BRT DUAL COMPL SOT-963

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品变化通告： WireBondChange01/Dec/2010
标准包装：8,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：35@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：-
功率-最大值：339mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-963
供应商器件封装：SOT-963