NP0G3D200A
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NP0G3D200A参数：TRANS ARRAY PNP/NPN SSS MINI-6P

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品目录绘图： SSS-Mini6PinPackageTop NP0G3Circuit
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：80mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：4.7k，22k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：4.7k，47k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：20@5mA，10V/80@5mA，10V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：150MHz，80MHz
功率-最大值：125mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-963
供应商器件封装：SSS迷你型6-F1