N0412N-S19-AY
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N0412N-S19-AY参数：MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：-
包装：*
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.7 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5550pF @ 25V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：*
封装：*
供应商器件封装：*