MTP20N15E
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MTP20N15E参数：MOSFET N-CH 150V 20A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence19/Jun/2009
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@10A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55.9nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1627pF@25V
功率-最大值：112W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB