MTB50P03HDLT4
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MTB50P03HDLT4参数：MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
标准包装：10
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@25A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4900pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK