MCH6321-TL-E
PDF资料下载

MCH6321-TL-E参数：MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.8V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：83 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：375pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：6-MCPH