IXTT10N100D
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IXTT10N100D参数：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：30
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2500pF @ 25V
功率 - 最大值：400W
安装类型：表面贴装
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商器件封装：TO-268