IXTP02N50D
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IXTP02N50D参数：MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：耗尽模式
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30欧姆@50mA，0V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：120pF@25V
功率-最大值：1.1W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220
配用：EVLB001-ND-KITEVALDIMMABLELIGHTBALLAST