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IXTN32P60P参数：MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
类别：半导体模块-FET标准包装：10系列：PolarP™包装：管件FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：32A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：196nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11100pF @ 25V功率 - 最大值：890W安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B
