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IXT-1-1N100S1-TR参数：MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC
供应商器件封装：8-SOIC