IXSP20N60B2D1
PDF资料下载

IXSP20N60B2D1参数：IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO220

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：50
系列：-
包装：散装
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.5V @ 15V，16A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35A
Current - Collector Pulsed (Icm)：60A
功率 - 最大值：190W
Switching Energy：380µJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：33nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/116ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：30ns
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB