IXFH40N50Q2
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IXFH40N50Q2参数：MOSFET N-CH 500V 40A TO-247

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： IXF(H,K,R)40N50Q211/Oct/2011
标准包装：30
系列：HiPerFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：40A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@500mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@4mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4850pF@25V
功率-最大值：560W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247