IXFH18N100Q3
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IXFH18N100Q3参数：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs
标准包装：30
系列：HiPerFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：660毫欧@9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：6.5V@4mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：90nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4890pF@25V
功率-最大值：830W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247