IXFH13N50
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IXFH13N50参数：MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： IXFH13N5014/Nov/2012
标准包装：30
系列：HiPerFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：13A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@6.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：[email protected]
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：120nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2800pF@25V
功率-最大值：180W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247AD