<kbd id="rad0h"></kbd>
<dl id="rad0h"><font id="rad0h"></font></dl>
IXFB60N80P参数：MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：25系列：PolarHV™ HiPerFET™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：800V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：250nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：18000pF @ 25V功率 - 最大值：1250W安装类型：通孔封装：TO-264-3，TO-264AA供应商器件封装：PLUS264?
