IPP80N04S4L-04参数：MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：OptiMOS™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.3 毫欧 @ 80A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 35µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4690pF @ 25V功率 - 最大值：71W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3-1
<dl id="2n5ve"><pre id="2n5ve"></pre></dl>
