IPP65R380C6参数：MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：CoolMOS™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 3.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 320µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：710pF @ 100V功率 - 最大值：83W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3
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