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IPP200N25N3 G参数：MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：OptiMOS™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：250V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：64A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 64A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：86nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7100pF @ 100V功率 - 最大值：300W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3
