IPP16CN10L G
PDF资料下载

IPP16CN10L G参数：MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
标准包装：500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：54A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：15.7毫欧@54A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@61µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：44nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4190pF@50V
功率-最大值：100W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3