IPG15N06S3L-45参数：MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Nov/2010标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：15A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@10µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1420pF@25V功率-最大值：21W安装类型：表面贴装封装：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
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