IPD30N06S2-15参数：MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：55V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：14.7 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 80µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：110nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1485pF @ 25V功率 - 最大值：136W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
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