IPD230N06N G
PDF资料下载

IPD230N06N G参数：MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：23毫欧@30A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@30V
功率-最大值：100W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3