<tbody id="emwia"></tbody>
<dl id="emwia"></dl>
IPD12N03LB G参数：MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.6毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@15V功率-最大值：52W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
