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IPD031N06L3 G参数：MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.1 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 93µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：79nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13000pF @ 30V功率 - 最大值：167W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
