IPB60R299CP参数：MOSFET N-CH 650V 11A TO-263
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：1,000系列：CoolMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：299毫欧@6.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@440µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：29nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@100V功率-最大值：96W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：PG-TO263-3
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