<tbody id="iho5m"><pre id="iho5m"></pre></tbody>
<button id="iho5m"><wbr id="iho5m"></wbr></button>
IPB10N03LB参数：MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009标准包装：1,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9.6毫欧@50A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1639pF@15V功率-最大值：58W安装类型：表面贴装封装：TO-263-4，D²Pak（3引线+接片），TO-263AA供应商器件封装：PG-TO263-3
