IPA50R650CE
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IPA50R650CE参数：MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
应用说明： 500VCoolMOSCEApplicationNote
产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
标准包装：500
系列：CoolMOS™
包装：散装
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：650毫欧@1.8A,13V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：342pF@100V
功率-最大值：27W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：PG-TO247-3