HUF76429D3ST
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HUF76429D3ST参数：MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
标准包装：2,500
系列：UltraFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：23毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：46nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1480pF@25V
功率-最大值：110W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak