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HSG1002VE-TL-E参数：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

类别：分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
晶体管类型：NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：3.5V
频率 - 跃迁：38GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益：8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大值：200mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA
安装类型：表面贴装
封装：4-SMD，鸥翼型
供应商器件封装：4-MFPAK