HGTP5N120BND
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HGTP5N120BND参数：IGBT NPT N-CH 1200V 21A TO-220AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：400
系列：-
包装：管件
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.7V@15V，5A
电流-集电极(Ic)（最大值）：21A
Current-CollectorPulsed(Icm)：40A
功率-最大值：167W
SwitchingEnergy：450µJ(开),390µJ(关)
输入类型：标准
GateCharge：53nC
Td(on/off)A25°C：22ns/160ns
TestCondition：960V,5A,25欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：30ns
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB